今天是:

首页轮播图

您现在的位置: 首页 >> 首页轮播图 >> 正文

我校获批芯片关键技术千万级重点项目

发布日期:2024-01-11  来源:物联网工程学院   文/图:敖金平教授团队 审核:孔丽丹

近日,江苏省重点研发计划“产业前瞻与关键核心技术”专项2023年度项目立项名单公示结束,江南大学物联网工程学院敖金平教授团队牵头的“氮化镓微波毫米波无线能量转换芯片关键技术研发”项目获得立项,这是学校作为主持单位获得的首个千万级江苏省重点研发项目。项目总预算2500万元,省财经费支持1000万元。

江苏省重点研发计划面向国家重大战略需要,聚焦集成电路、新材料、先进制造等重点领域,集中力量开展关键核心技术攻关和重要标准研发,加快推进核心技术自主化。项目以提升高新技术产业创新力、影响力为主线,加强关键核心技术攻关,推动第三代半导体、未来网络通信等十大高新技术新兴产业成为构筑现代产业体系的新支柱。

“氮化镓微波毫米波无线能量转换芯片关键技术研发”项目由江南大学物联网工程学院敖金平教授团队牵头组织,联合苏州实验室、苏州纳维科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、无锡华润安盛科技有限公司、南京大学、江苏能华微电子科技发展有限公司共同参与,拟在氮化镓基微波毫米波无线能量转换芯片相关方面取得突破性进展,并打通从实验室到产业化的关键环节,实现关键技术从“实验室”走向“生产线”。

高性能的微波-直流转换是实现中远距离无线能量传输的关键,然而,当前基于硅的转换芯片普遍存在效率低,功率容量不足等缺点。氮化镓材料因其出色的电学特性被认为是实现高性能微波-直流转换芯片的最佳材料之一。“该项目就是要依托各单位特色优势,在自支撑氮化镓材料衬底上研发出高性能、低成本的微波-直流转换芯片。”敖金平说道,“通过探索新型半导体工艺、先进封测技术来提高芯片稳定性、可靠性,我们有信心整体性能达到国际前沿水平。”

目前,江南大学建有宽带隙/超宽禁带半导体材料与器件实验室,拥有材料生长和器件工艺超净间,器件制备用的光刻机、等离子体刻蚀机、磁控溅射台、快速热退火系统等全套工艺设备,具有完整的材料生长、器件制备及测试评价能力。敖金平教授团队有二十多年的GaN器件及电路研究经历,先后牵头/参与完成了科技部重点专项、国家自然科学基金重大/重点项目等多项GaN基电子器件相关的科研项目;在行业知名期刊上发表相关SCI论文500篇以上,申请发明专利50件以上。团队研发了多款氮化镓微波整流芯片,其微波-直流转换效率达到90%以上,业内领先。

团队成员合影

宽带隙/超宽禁带半导体材料与器件实验室

团队成员实验现场(一)

团队成员实验现场(二)


阅读( (编辑:曾磊)

    点击排行| 精华推荐

技术支持:信息化建设管理处

校内备案号:JW备170083

地址:江苏省无锡市蠡湖大道1800号

邮编:214122

联系电话:0510-85326517

服务邮箱:xck@jiangnan.edu.cn

Baidu
map